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中国科学院院士 褚君浩

    2005年当选为中国科学院院士,半导体物理和器件专家。江苏宜兴人。1966年毕业于上海师范学院物理系,1984年中科院上海技术物理研究所获博士学位。中国科学院上海技术物理研究所研究员。1993到2003年任中科院红外物理国家重点实验室主任。现任《红外与毫米波学报》主编。长期从事红外光电子材料和器件的研究,开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式,被国际上称为CXT公式,广泛引用并认为与实验结果最符合;建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型;发现HgCdTe的带间跃迁、杂质跃迁等基本光电跃迁特性,提出HgCdTe本征光吸收系数表达式和折射率表达式,确定了材料器件的光电判别依据;开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究,研制成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。发表论文316篇,《窄禁带半导体物理学》专著一本。获国家自然科学二、三、四等奖各1项、中国科学院自然科学一等奖1项、二等奖2项、中国科学院科技进步一等奖1项、上海市科技进步一、二等奖各1项。

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